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富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件拥有I2C接口万芳

发布时间:2020-02-14 11:32:33 阅读: 来源:离子交换树脂厂家

富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件,拥有I2C接口

适用于工厂自动化控制、测验仪器及工业设备

富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,成功开发出拥有1Mb内存 (128K字符X 8位)的全新FRAM产品---MB85RC1MT,是所有富士通半导体I2C串行接口产品中最高内存容量的产品,且即日起即可为客户提供样品。全新MB85RC1MT可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期,适用于需要经常重复写入数据之应用,例如工厂自动化、测试仪器及工业设备所需之实时数据登录应用。现在富士通半导体同时拥有广泛的I2C与SPI串行接口产品系列,为客户提供最符合他们要求的非挥发性存储器产品。

FRAM是一种兼具非挥发性与随机存取功能的存储器,能在没有电源的情况下可储存及高速写入数据。值得注意的是,在众多非挥发性内存技术中,FRAM能保证一万亿次以上的写入/擦除周期。富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来,已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。

MB85RC1MT可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8V至3.3V工作电压运作,可支持3.4MHz 的“高速”操作模式,并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。MB85RC1MT保证有一万亿次写入/擦除周期,大幅超越传统EEPROM的写入/擦除周期次数,并可支持I2C接口及其他接口产品的实时数据登录等频繁的重复写入数据作业。

此外,对于一些需要使用I2C接口EEPROM应用场合,现在都可以由富士通半导体的新款FRAM产品取而代之,以实现高频率数据输入和高精度数据撷取(如图一),更能够降低数据写入的时功耗(如图二)。

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